物料型号:DS99R105/DS99R106
器件简介:DS99R105 串行器和 DS99R106 反串行器芯片组是易于使用的发射器和接收器对,通过单个串行 LVDS 链路发送 24 位并行 LVCMOS 数据,传输速率从 72 Mbps 到 960 Mbps。
DS99R105 将 24 位并行 LVCMOS 数据转换为带有嵌入式时钟信息的高速 LVDS 串行数据流。
DS99R106 接收 LVDS 串行数据流并将其转换回 24 位并行数据和恢复时钟。
引脚分配:DS99R105 有 48 个引脚,包括数据输入 DIN[23:0],时钟输入 TCLK,电源和地线等。
DS99R106 也有 48 个引脚,包括数据输出 ROUT[23:0],时钟输出 RCLK,电源和地线等。
参数特性:支持 3 MHz 到 40 MHz 的时钟频率范围,能够驱动屏蔽双绞线。
内部 DC 平衡编码/解码 - 支持交流耦合接口,无需外部编码。
个别的发射器和接收器电源关闭控制。
接收器上的嵌入式时钟 CDR(时钟和数据恢复),无需外部参考时钟源。
功能详解:发射器和接收器集成了 LVDS 信号,提供低功耗和低噪声环境,以可靠地通过串行传输路径传输数据。
通过优化发射器输出边沿速率以降低 EMI。
内部 DC 平衡编码/解码用于支持交流耦合的互连。
应用信息:DS99R105/DS99R106 可用于点对点配置,通过 PCB 走线或双绞线电缆进行数据传输。
支持热插拔应用,能够在不干扰活动数据线上的通信数据的情况下进行热插拔操作。
封装信息:DS99R105 和 DS99R106 都有 48 引脚 TQFP 和 48 引脚 WQFN 封装。
纯 CMOS 0.35 微米工艺电源供应范围为 $3.3V ± 10%$,工作温度范围为 $0°C$ 至 $+70°C$,HBM ESD 耐受性为 8 kV。